半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱特別適用于半導(dǎo)體電子器件做溫度破壞測(cè)試，主要測(cè)試半導(dǎo)體電子器件材料結(jié)構(gòu)在瞬間下經(jīng)*溫及極低溫的連續(xù)沖擊環(huán)境下所能忍受的程度，得以在短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)試樣因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。本試驗(yàn)箱根據(jù)試驗(yàn)需求及測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分為三箱式和兩箱式，區(qū)別在于試驗(yàn)方式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同。三箱式分為蓄冷室，蓄熱室和試驗(yàn)室，產(chǎn)品在測(cè)試時(shí)是放置在試驗(yàn)室。兩箱式分為高溫室和低溫室，是通過(guò)電機(jī)帶動(dòng)提籃運(yùn)動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)高低溫的切換，產(chǎn)品放在提籃里，是隨提籃一起移動(dòng)的。

質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)：主要核心配件均采用*的配件如法國(guó)泰康或德國(guó)比澤爾壓縮機(jī)，控制器有韓國(guó)三元、日本OYO、中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)通三*供客戶(hù)選擇，繼電器有日本路宮、和泉、三菱、施耐德，美國(guó)杜邦環(huán)保冷媒，丹麥(DANFOSS)、瑞典（AlfaLaval）等配件，假一罰十，能確保冷熱沖擊試驗(yàn)箱長(zhǎng)期正常高效的運(yùn)行。

半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常，這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時(shí)也稱(chēng)為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類(lèi)繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱(chēng)晶體三極管）。

半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱技術(shù)參數(shù)表：

冷熱沖擊試驗(yàn)箱型號(hào)：LQ-TS-80A；LQ-TS-80B；LQ-TS-80C；LQ-TS-150A；LQ-TS-150B；LQ-TS-150C LQ-TS-250A；LQ-TS-250B；LQ-TS-250C；LQ-TS-1000A；LQ-TS-1000B；LQ-TS-1000C

標(biāo)稱(chēng)內(nèi)容積（升）：80；150；250；300

試驗(yàn)方式：氣動(dòng)風(fēng)門(mén)切換2溫室或3溫室方式

性能

高溫室預(yù)熱溫度范圍：＋60～＋200℃

升溫速率：＋60→＋200℃≤30分鐘

低溫室預(yù)冷溫度范圍：－75－0℃

降溫速率：＋20→－75℃≤30分鐘

試驗(yàn)室溫度偏差：±2℃

溫度范圍TSL:（+60→+150）℃→（-40－-10）℃;

TSU:（+60～+150）℃～（-55～-10）℃;

TSS:（+60～+150）℃～（-65～-10）℃

溫度恢復(fù)時(shí)間※2 5分鐘以?xún)?nèi)

試樣擱架承載能力：30kg

試樣重量7.5kg；7.5kg；10kg；10kg

內(nèi)部尺寸（mm）：W 500 600 700 1000

H 400 500 600 1000

D 400 500 600 1000

溫度上升和溫度下降均為各恒溫試驗(yàn)箱單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能。